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Pó de SiC verde JIS800# JIS600# JIS400# para processamento de quartzo

Pó de carboneto de silício (SiC) verde JIS800#, JIS600# e JIS400# para processamento de quartzo.
O processamento de quartzo exige abrasivos que combinem uma elevada dureza, uma distribuição granulométrica consistente e um risco mínimo de contaminação. O nosso pó de carboneto de silício (SiC) verde, disponível nas granulometrias JIS800#, JIS600# e JIS400#, foi desenvolvido especificamente para satisfazer estes rigorosos requisitos. Como um dos abrasivos sintéticos mais duros (Mohs 9,5), o SiC verde destaca-se no corte, lapidação, polimento e acabamento superficial de cristais de quartzo, quartzo fundido, vidro de quartzo e pedra de quartzo industrializada. Seja qual for a sua aplicação, desde componentes semicondutores de quartzo a lentes óticas ou placas de quartzo de alta qualidade, este pó oferece resultados consistentes e de alta pureza.

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Pó de SiC verde JIS800# JIS600# JIS400# para processamento de quartzo

O processamento de quartzo exige abrasivos que combinem uma elevada dureza, uma distribuição granulométrica consistente e um risco mínimo de contaminação. O nosso  pó de carboneto de silício (SiC) verde , disponível nas granulometrias JIS800#, JIS600# e JIS400#, foi desenvolvido especificamente para satisfazer estes rigorosos requisitos. Como um dos abrasivos sintéticos mais duros (Mohs 9,5), o SiC verde destaca-se no corte, lapidação, polimento e acabamento superficial de cristais de quartzo, quartzo fundido, vidro de quartzo e pedra de quartzo industrializada. Seja qual for a sua aplicação, desde componentes semicondutores de quartzo a lentes óticas ou placas de quartzo de alta qualidade, este pó proporciona resultados consistentes e de alta pureza.

PROPRIEDADES FÍSICAS – Pó de SiC verde JIS800# JIS600# JIS400# para processamento de quartzo

Peso específico 3,95 gramas/ cm³
Dureza de Mohs 9,5
Temperatura máxima de serviço 1900℃
Ponto de fusão  2250℃

ANÁLISE QUÍMICA TÍPICA [%] – Pó de SiC verde JIS800# JIS600# JIS400# para processamento de quartzo

SiC Fe2O3 FC F.Si SiO₂ LEI
98,0-99,5 ≤0,15  ≤0,30 ≤0,40 ≤0,70 < 0,09

DISTRIBUIÇÃO DO TAMANHO DAS PARTÍCULAS

PADRÃO JIS

Tamanho D O (um) D 3 (um) D 50 (um) D 94 (um)
#240 ≤127 ≤103 57,0±3,0 ≥40
#280 ≤112 ≤87 48,0±3,0 ≥33
#320 ≤98 ≤74 40,0±2,5 ≥27
#360 ≤86 ≤66 35,0±2,0 ≥23
#400 ≤75 ≤58 30,0±2,0 ≥20
#500 ≤63 ≤50 25,0±2,0 ≥16
#600 ≤53 ≤41 20,0±1,5 ≥13
#700 ≤45 ≤37 17,0±1,5 ≥11
#800 ≤38 ≤31 14,0±1,0 ≥9,0
#1000 ≤32 ≤27 11,5±1,0 ≥7,0
#1200 ≤27 ≤23 9,5±0,8 ≥5,5
#1500 ≤23 ≤20 8,0±0,6 ≥4,5
#2000 ≤19 ≤17 6,7±0,6 ≥4,0
#2500 ≤16 ≤14 5,5±0,5 ≥3,0
#3000 ≤13 ≤11 4,0±0,5 ≥2,0
#4000 ≤11 ≤8,0 3,0±0,4 ≥1,8
#6000 ≤8,0 ≤5,0 2,0±0,4 ≥0,8
#8000 ≤6,0 ≤3,5 1,2±0,3 ≥0,6

Certificado de Análise e PSD do Green sic JIS800#

Verde sic JIS800#
Verde sic JIS800#

Porquê usar SiC verde em vez de quartzo? – Vantagens da ciência dos materiais

O carboneto de silício verde é produzido através de uma reação num forno elétrico de alta temperatura entre areia de sílica de alta pureza e coque de petróleo. As suas propriedades únicas tornam-no superior ao óxido de alumínio ou aos abrasivos convencionais para o processamento de quartzo.

  • Dureza extrema (Mohs 9,5):  Supera a do óxido de alumínio (Mohs 9) e aproxima-se da do diamante. Isto permite o corte e modelação eficiente do quartzo (Mohs 7) com o mínimo de quebra de partículas.

  • Morfologia de grãos angulares e afiados:  As partículas quebradiças e de arestas afiadas criam uma ação de microcorte em vez de um efeito de fricção ou espalhamento, produzindo superfícies limpas e com controlo de riscos, essenciais para o quartzo ótico e eletrónico.

  • Elevada condutividade térmica:  dissipa o calor rapidamente durante o lixamento e o polimento, reduzindo o risco de fissuras por tensão térmica ou queimaduras superficiais em materiais de quartzo sensíveis ao calor.

  • Pureza química:  O baixo teor de ferro e carbono livre evita a descoloração ou contaminação da superfície – um fator crítico para componentes de quartzo de grau semicondutor, onde vestígios de metais podem comprometer o desempenho do dispositivo.

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